casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C3V9-HE3-08
Número da peça de fabricante | BZT52C3V9-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZT52C3V9-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C3V9-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C3V9-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52C3V9-HE3-08-FT |
BZT52B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel