casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B3V6-E3-18
Número da peça de fabricante | BZT52B3V6-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52B3V6-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZT52B3V6-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V6-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52B3V6-E3-18-FT |
MMSZ5243C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel