casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C9V1P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27C9V1P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C9V1P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C9V1P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C9V1P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C9V1P-HE3-18-FT |
BZD27C39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel