casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C3V6P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD27C3V6P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C3V6P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C3V6P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C3V6P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C3V6P-E3-18-FT |
BZD27C10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGXEA7K2F35I3N
Intel
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel