casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C3V9P-M3-08
Número da peça de fabricante | BZD27C3V9P-M3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C3V9P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C3V9P-M3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C3V9P-M3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C3V9P-M3-08-FT |
BZD27C11P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
5SGXEA3K2F35C2L
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-CS196I
Microsemi Corporation
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation