casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C120P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27C120P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C120P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C120P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 120V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 91V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C120P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C120P-HE3-18-FT |
BZD27B51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA7N3F45C2
Intel
5SGXEA7H2F35I3L
Intel
5SGXMA4K2F35C2LN
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel