casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C100P-M-18
Número da peça de fabricante | BZD27C100P-M-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C100P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C100P-M-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 75V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C100P-M-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C100P-M-18-FT |
BZD27C3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.