casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C100P-M-18
Número da peça de fabricante | BZD27C100P-M-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C100P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C100P-M-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 75V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C100P-M-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C100P-M-18-FT |
BZD27C3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel