casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B62P-HE3-08

| Número da peça de fabricante | BZD27B62P-HE3-08 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BZD27B62P-HE3-08 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
| BZD27B62P-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
| Tolerância | - |
| Potência - Max | 800mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 47V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-219AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BZD27B62P-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BZD27B62P-HE3-08-FT |

BZD27B20P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B20P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B20P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B22P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B22P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B22P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.

A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation

XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.

XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.

EP2C35U484C6N
Intel

EP3C55F484C8
Intel

EP4CE22E22C6
Intel

5SGXEB5R2F43I2L
Intel

EP3SL340H1152C4
Intel

LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation