casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B22P-HE3-18

| Número da peça de fabricante | BZD27B22P-HE3-18 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BZD27B22P-HE3-18 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
| BZD27B22P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
| Tolerância | - |
| Potência - Max | 800mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 16V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-219AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BZD27B22P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BZD27B22P-HE3-18-FT |

BZD17C8V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD17C8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD17C91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD17C91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD17C9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD17C9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.

APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation

5SGXMA3K2F35I3LN
Intel

XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.

A42MX24-3PL84I
Microsemi Corporation

A40MX04-1PQG100
Microsemi Corporation

LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE80F780C2
Intel

EP4CE55F29C6
Intel

5SGXMA3H2F35C2N
Intel