casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B100P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B100P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B100P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B100P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 75V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B100P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B100P-E3-18-FT |
BZD27C150P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C75P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel