casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B18P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B18P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B18P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B18P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 13V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B18P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B18P-HE3-18-FT |
BZD17C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C5V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208M
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
A40MX02-2PL44I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40E2SG
Intel