casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C6V2P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD17C6V2P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD17C6V2P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD17C6V2P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C6V2P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD17C6V2P-E3-18-FT |
BZD27C16P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel