casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYT60P-1000
Número da peça de fabricante | BYT60P-1000 |
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Número da peça futura | FT-BYT60P-1000 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYT60P-1000 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 60A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 170ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SOD-93-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-93 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT60P-1000 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYT60P-1000-FT |
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20020CT
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MUR20020CTR
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MUR20040CT
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MUR20040CTR
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MUR20060CT
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MUR20060CTR
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MUR30005CT
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XC3S200-5TQ144C
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XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
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APA300-CQ352B
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5SGXEA7N3F40I3N
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5AGXMA5D4F27C4N
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5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation