casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYQ28E-200E,127
Número da peça de fabricante | BYQ28E-200E,127 |
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Número da peça futura | FT-BYQ28E-200E,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYQ28E-200E,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28E-200E,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYQ28E-200E,127-FT |
RB061US-30TR
Rohm Semiconductor
RB228T100
Rohm Semiconductor
RB205T-60
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RB215T-90
Rohm Semiconductor
RB215T-40
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RB215T-60
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RF2001T3D
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XC3S1500-4FGG456C
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M1A3P400-1FG484
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A3PE1500-2PQ208I
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EPF10K50SFC256-2X
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10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel