casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / RB215T-60
Número da peça de fabricante | RB215T-60 |
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Número da peça futura | FT-RB215T-60 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RB215T-60 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 600µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB215T-60 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RB215T-60-FT |
409CNQ150
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409DMQ135
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FMEN-210B
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FMB-29
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FMU-26S
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LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel