casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYM36E-TAP
Número da peça de fabricante | BYM36E-TAP |
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Número da peça futura | FT-BYM36E-TAP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYM36E-TAP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.9A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.78V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SOD-64, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM36E-TAP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM36E-TAP-FT |
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV202-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel