casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS286-GS18
Número da peça de fabricante | BAS286-GS18 |
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Número da peça futura | FT-BAS286-GS18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAS286-GS18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-80 Variant |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS286-GS18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS286-GS18-FT |
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel