casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYM12-300HE3_A/I
Número da peça de fabricante | BYM12-300HE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-BYM12-300HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM12-300HE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-300HE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM12-300HE3_A/I-FT |
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel