casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYM12-300HE3_A/I
Número da peça de fabricante | BYM12-300HE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-BYM12-300HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM12-300HE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-300HE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM12-300HE3_A/I-FT |
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
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