casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG21KHE3_A/I

| Número da peça de fabricante | BYG21KHE3_A/I |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BYG21KHE3_A/I |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| BYG21KHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Avalanche |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 120ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 800V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BYG21KHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BYG21KHE3_A/I-FT |

FFSD1065B-F085
ON Semiconductor

NGTD5R65F2WP
ON Semiconductor

RHRP8120-F102
ON Semiconductor

FR6A02
GeneSiC Semiconductor

JANTX1N5551
Microsemi Corporation

STBR3012G2Y-TR
STMicroelectronics

RHRP15120-F102
ON Semiconductor

RHRP30120-F102
ON Semiconductor

1N5550C.TR
Semtech Corporation

1N5616C.TR
Semtech Corporation

LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.

APA600-PQG208I
Microsemi Corporation

EP1S10F484C5N
Intel

EP1S10F484C6
Intel

A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U3F45I2LG
Intel

5CGXFC4C6M13C7N
Intel

EP3C55F780C7
Intel