casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG21MHM2G
Número da peça de fabricante | BYG21MHM2G |
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Número da peça futura | FT-BYG21MHM2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYG21MHM2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 120ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21MHM2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG21MHM2G-FT |
ES1HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LGHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel