casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1LJ M2G
Número da peça de fabricante | ES1LJ M2G |
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Número da peça futura | FT-ES1LJ M2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1LJ M2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LJ M2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1LJ M2G-FT |
SS110 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
S1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MA R3G
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M1A3P1000-2FG256
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XC2VP40-6FFG1152C
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10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
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