casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SS1H10HE3_B/I
Número da peça de fabricante | SS1H10HE3_B/I |
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Número da peça futura | FT-SS1H10HE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H10HE3_B/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3_B/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SS1H10HE3_B/I-FT |
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel