casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10M-E3/TR
Número da peça de fabricante | BYG10M-E3/TR |
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Número da peça futura | FT-BYG10M-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYG10M-E3/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10M-E3/TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10M-E3/TR-FT |
SGL41-60-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel