casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SE30AFB-M3/6A
Número da peça de fabricante | SE30AFB-M3/6A |
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Número da peça futura | FT-SE30AFB-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
SE30AFB-M3/6A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.4A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.5µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-221AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE30AFB-M3/6A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SE30AFB-M3/6A-FT |
IMBD4148-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4448-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel