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Rohm Semiconductor RDN100N20FU6

Name: RDN100N20FU6
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDN100N20FU6
Availability: InStock
Rating: 4.7 (674 reviews)

Número da peça MFG: RDN100N20FU6

Quantidade disponível: 14360 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RDN100N20FU6.pdf

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RDN100N20FU6 Especificações

Número da peça de fabricante	RDN100N20FU6
Número da peça futura	FT-RDN100N20FU6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RDN100N20FU6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220FN
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN100N20FU6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RDN100N20FU6-FT

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