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NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ

Name: PSMN7R6-60XSQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN7R6-60XSQ
Availability: InStock
Rating: 4.5 (655 reviews)

Número da peça MFG: PSMN7R6-60XSQ

Quantidade disponível: 43880 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V TO220AB

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PSMN7R6-60XSQ.pdf

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PSMN7R6-60XSQ Especificações

Número da peça de fabricante	PSMN7R6-60XSQ
Número da peça futura	FT-PSMN7R6-60XSQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
PSMN7R6-60XSQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	51.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	38.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2651pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	46W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220F
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN7R6-60XSQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PSMN7R6-60XSQ-FT

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