casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NJVNJD1718T4G
Número da peça de fabricante | NJVNJD1718T4G |
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Número da peça futura | FT-NJVNJD1718T4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NJVNJD1718T4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 1.68W |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVNJD1718T4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NJVNJD1718T4G-FT |
BC857CWT1
ON Semiconductor
BC858AWT1
ON Semiconductor
BC858BWT1
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MMBT2222AWT1
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MMBTA56WT1
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XC4003E-4PQ100I
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XC6SLX150-N3FGG676C
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XC7A50T-1CSG325C
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EP1S25F672C7N
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10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation