casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDN358P
Número da peça de fabricante | FDN358P |
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Número da peça futura | FT-FDN358P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDN358P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN358P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDN358P-FT |
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
2N7002KA-TP
Micro Commercial Co
2SK1828TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SI2301A-TP
Micro Commercial Co
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2324A-TP
Micro Commercial Co
SI2328DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2319ADS-T1_GE3
Vishay Siliconix
2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
MMBF170
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel