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Infineon Technologies BSS816NWH6327XTSA1

Name: BSS816NWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS816NWH6327XTSA1
Price: 0.06376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (629 reviews)

Número da peça MFG: BSS816NWH6327XTSA1

Quantidade disponível: 37790 Peças

Preço de referência: USD 0.06376

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSS816NWH6327XTSA1.pdf

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BSS816NWH6327XTSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSS816NWH6327XTSA1
Número da peça futura	FT-BSS816NWH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSS816NWH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	0.75V @ 3.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 2.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT323-3
Pacote / caso	SC-70, SOT-323
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS816NWH6327XTSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSS816NWH6327XTSA1-FT

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