casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSN20BKR
Número da peça de fabricante | BSN20BKR |
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Número da peça futura | FT-BSN20BKR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSN20BKR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 265mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.49nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20.2pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 310mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSN20BKR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSN20BKR-FT |
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK966R5-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK968R3-40E,118
NXP USA Inc.
BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.