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NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118

Name: PHB110NQ06LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHB110NQ06LT,118
Availability: InStock
Rating: 4.8 (35 reviews)

Número da peça MFG: PHB110NQ06LT,118

Quantidade disponível: 74630 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PHB110NQ06LT,118.pdf

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PHB110NQ06LT,118 Especificações

Número da peça de fabricante	PHB110NQ06LT,118
Número da peça futura	FT-PHB110NQ06LT,118
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
PHB110NQ06LT,118 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 5V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3960pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	200W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB110NQ06LT,118 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PHB110NQ06LT,118-FT

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