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Infineon Technologies BSL802SNL6327HTSA1

Name: BSL802SNL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSL802SNL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (305 reviews)

Número da peça MFG: BSL802SNL6327HTSA1

Quantidade disponível: 18780 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSL802SNL6327HTSA1.pdf

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BSL802SNL6327HTSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSL802SNL6327HTSA1
Número da peça futura	FT-BSL802SNL6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSL802SNL6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.5A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	750mV @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 2.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1347pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TSOP-6-6
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSL802SNL6327HTSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSL802SNL6327HTSA1-FT

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