casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSL802SNH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSL802SNH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSL802SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSL802SNH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.75V @ 30µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 2.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1347pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSOP-6-6 |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL802SNH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSL802SNH6327XTSA1-FT |
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-E3
Vishay Siliconix
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation