casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW65R070C6FKSA1
Número da peça de fabricante | IPW65R070C6FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW65R070C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPW65R070C6FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 17.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.76mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 391W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R070C6FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW65R070C6FKSA1-FT |
IPSH5N03LA G
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XC2V8000-4FFG1152I
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