casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC035N10NS5ATMA1
Número da peça de fabricante | BSC035N10NS5ATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC035N10NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC035N10NS5ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC035N10NS5ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC035N10NS5ATMA1-FT |
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation