casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC028N06LS3GATMA1
Número da peça de fabricante | BSC028N06LS3GATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC028N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC028N06LS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC028N06LS3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC028N06LS3GATMA1-FT |
IPC50N04S55R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7440TRPBF
Infineon Technologies
BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel