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Infineon Technologies BSC019N02KSGAUMA1

Name: BSC019N02KSGAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N02KSGAUMA1
Price: 0.797256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (731 reviews)

Número da peça MFG: BSC019N02KSGAUMA1

Quantidade disponível: 12560 Peças

Preço de referência: USD 0.797256

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSC019N02KSGAUMA1.pdf

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BSC019N02KSGAUMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSC019N02KSGAUMA1
Número da peça futura	FT-BSC019N02KSGAUMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSC019N02KSGAUMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC019N02KSGAUMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSC019N02KSGAUMA1-FT

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