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Infineon Technologies IRF8113GPBF

Name: IRF8113GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8113GPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (284 reviews)

Número da peça MFG: IRF8113GPBF

Quantidade disponível: 82450 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF8113GPBF.pdf

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IRF8113GPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF8113GPBF
Número da peça futura	FT-IRF8113GPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF8113GPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	17.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2910pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8113GPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF8113GPBF-FT

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