casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC027N04LSGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC027N04LSGATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSC027N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC027N04LSGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 49µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC027N04LSGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC027N04LSGATMA1-FT |
IRF7807ZPBF
Infineon Technologies
IRF7807ZTR
Infineon Technologies
IRF7809
Infineon Technologies
IRF7809A
Infineon Technologies
IRF7809ATR
Infineon Technologies
IRF7809AV
Infineon Technologies
IRF7809PBF
Infineon Technologies
IRF7809TR
Infineon Technologies
IRF7811
Infineon Technologies
IRF7811A
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel