casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC010N04LSIATMA1
Número da peça de fabricante | BSC010N04LSIATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC010N04LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC010N04LSIATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 20V |
Recurso FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 FL |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC010N04LSIATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC010N04LSIATMA1-FT |
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IRFI1310N
Infineon Technologies
IRFI520N
Infineon Technologies
IRFI530N
Infineon Technologies
IRFIZ24E
Infineon Technologies
IRFIZ34E
Infineon Technologies
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel