casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BS170G
Número da peça de fabricante | BS170G |
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Número da peça futura | FT-BS170G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BS170G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS170G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BS170G-FT |
RJL5012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5033DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation