casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BS108G
Número da peça de fabricante | BS108G |
---|---|
Número da peça futura | FT-BS108G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BS108G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 2.8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS108G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BS108G-FT |
RJK6026DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL5012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5033DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-00#J2
Renesas Electronics America
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel