casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFG410W,135
Número da peça de fabricante | BFG410W,135 |
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Número da peça futura | FT-BFG410W,135 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFG410W,135 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 4.5V |
Freqüência - Transição | 22GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
Ganho | 21dB |
Potência - Max | 54mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 2V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 12mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-82A, SOT-343 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CMPAK-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG410W,135 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFG410W,135-FT |
MPSH10_D75Z
ON Semiconductor
MPSH11_D27Z
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MPSH17RLRAG
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MPSH17_D26Z
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MPSH17_D27Z
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MPSH17_D75Z
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MPSH81_D26Z
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PN3563_D26Z
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A40MX04-VQ80I
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EPF10K20TC144-4
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LFE5UM-45F-6BG381C
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LFE3-35EA-9FN672C
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10AX090N1F45I1SG
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