casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / PN3563_D26Z
Número da peça de fabricante | PN3563_D26Z |
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Número da peça futura | FT-PN3563_D26Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PN3563_D26Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 1.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 14dB ~ 26dB |
Potência - Max | 350mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 8mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN3563_D26Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PN3563_D26Z-FT |
CPH6003A-TL-E
ON Semiconductor
CPH6001A-TL-E
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CPH6020-TL-E
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KSC1674YBU
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SS9018FBU
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KSP10BU
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2N3663
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BF199
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XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
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EPF10K200EBC600-2
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EP3C40F484C6
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5SGXEA5N2F40C3N
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10CX220YF780E5G
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5SGXEA9N3F45I3L
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5SGXEB9R2H43I3N
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LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation