casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR533E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR533E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR533E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR533E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Potência - Max | 330mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR533E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR533E6327HTSA1-FT |
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRP123ES,126
NXP USA Inc.
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2
Intel
EP4CE10F17I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3
Intel
5SGXEA4K1F40C2LN
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5SGXMABK1H40I2N
Intel