casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PBRN113ES,126
Número da peça de fabricante | PBRN113ES,126 |
---|---|
Número da peça futura | FT-PBRN113ES,126 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBRN113ES,126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 800mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 700mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN113ES,126 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBRN113ES,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
Intel