casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTB113ZQAZ
Número da peça de fabricante | PDTB113ZQAZ |
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Número da peça futura | FT-PDTB113ZQAZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB113ZQAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 325mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010D-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113ZQAZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTB113ZQAZ-FT |
PDTC144EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144VM,315
Nexperia USA Inc.
PDTC144WM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3CSG484C
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K2F40I2LN
Intel
5SGXMA4K2F40I2N
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7N
Intel