casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR133E6393HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR133E6393HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR133E6393HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR133E6393HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 130MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR133E6393HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR133E6393HTSA1-FT |
BCR562E6327HTSA1
Infineon Technologies
DRA2123Y0L
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DRC2124T0L
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XC2S30-5VQ100I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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