casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA2123Y0L
Número da peça de fabricante | DRA2123Y0L |
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Número da peça futura | FT-DRA2123Y0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA2123Y0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini3-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123Y0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA2123Y0L-FT |
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
NXP USA Inc.
PDTA144VS,126
NXP USA Inc.
PDTA144WS,126
NXP USA Inc.
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel