casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR112E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR112E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR112E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR112E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR112E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR112E6327HTSA1-FT |
FJV3101RMTF
ON Semiconductor
UNR211M00L
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UNR212200L
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5SGSMD5K3F40C2
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LFE2M35SE-7F256C
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